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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 56/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
10. Package
10.1 Heat Sink Mounting
The following precautions should be observed to maximize the effect of the heat sink and minimize
device stress, when mounting an SPM on a heat sink.
Heat Sink
Please follow the instructions of the manufacturer, when attaching a heat sink to an Mini DIP SPM. Be
careful not to apply excessive force to the device when attaching the heat sink.
Drill holes for screws in the heat sink exactly as specified. Smooth the surface by removing burrs and
protrusions of indentations. Refer to Table 10.1.
Heat-sink-equipped devices can become very hot when in operation. Do not touch, as you may sustain
a burn injury.
Silicon Grease
Apply silicon grease between the SPM and the heat sink to reduce the contact thermal resistance. Be
sure to apply the coating thinly and evenly, do not use too much. A uniform layer of silicon grease (100
~ 200um thickness) should be applied in this situation.
Screw Tightening Torque
Do not exceed the specified fastening torque. Over tightening the screws may cause package cracks
and bolts and AL heat-fin destruction. Tightening the screws beyond a certain torque can cause
saturation of the contact thermal resistance. The tightening torques in table 10.1 is recommended for
obtaining the proper contact thermal resistance and avoiding the application of excessive stress to the
device.
Avoid stress due to tightening on one side only. Figure 10.1 shows the recommended torque order for
mounting screws. Uneven mounting can cause the SPM DBC substrate to be damaged.
Table 10.1 Torque Rating
Limits
Item
Condition
Unit
Min.
Typ
Max
Mounting Torque
Mounting Screw : M3
Recommended
0.62 N ? m
0.51
0.62
1.00
N ? m
DBC Flatness
Heatsink Flatness
Weight
(Note Fig. 10.1)
0
-100
-
-
15.40
+120
+50
-
? m
? m ?
g
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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