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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
Figure 1.2 Junction-to-case Thermal Resistance according to Current Rating of Mini DIP SPM Line-up
Noise Reduction
Small package and low power loss are the primary goals of low power modules. However, in recent
years, attempting to reduce power loss through excessively fast switching speed has given rise to various
challenges.
Excessive switching speed increases the dV/dt, di/dt, and recovery current and creates
challenges such as large EMI (Electromagnetic Interference), excessive surge voltage, and high magnitude
of motor leakage current. Such problems increase system cost and can even shorten motor life. Mini DIP
SPM series solve these problems by adjusting the switching dV/dt to around 3kV/ ? sec through advanced
gate drive impedance design.
Thanks to very low on-state voltage of the new generation IGBT and low forward voltage of FRD, an
optimized switching speed meeting the low EMI requirement has been realized in Mini DIP SPM while
keeping the total power loss at a low level equal to or less than other low power modules.
Cost-effective Current Detection
As sensor-less vector control and other increasingly sophisticated control methods are applied to
general industrial inverters and even in consumer appliance inverters, there is a growing need to measure
inverter phase current. Mini DIP SPM family has a 3-N terminal structure in which IGBT inverter bridge
emitter terminal is separated. In this type of structure, inverter phase current can be easily detected simply
by using external shunt resistance.
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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