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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 25/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
dotted in Figure 6.1) might change depending on the PWM control scheme used in the application and the
wiring impedance of the application’s PCB layout.
SPM
IN UH ,IN VH ,IN WH
1k ?
Level shift
circuit
Gate driver
5k ? (Typical)
IN UL ,IN VL, IN WL
Gate driver
5k ? (Typical)
Figure 6.2 Internal structure of signal input terminals
The Mini DIP SPM family employs active-high input logic. This removed the sequence restriction
between the control supply and the input signal during start-up or shutdown operation. Therefore it makes
the system fail-safe. In addition, pull-down resistors are built in to each input circuit. Thus, external pull-down
resistors are not needed reducing the required external component count. Furthermore, by lowering the turn
on and turn off threshold voltage of input signal as shown in Table 6.2, a direct connection to 3.3V-class
microprocessor or DSP is possible.
Table 6.2 Input threshold voltage ratings (at Vcc = 15V, Tj = 25 ℃ )
Item
Turn on threshold voltage
Turn off threshold voltage
Symbol
V IN(ON)
V IN(OFF)
Condition
IN (UH) , IN (VH) , IN (VH) ,– COM
IN (UL) , IN (VL) , IN (WL) ,– COM
Min.
2.8
-
Typ.
-
-
Max.
-
0.8
Unit
V
V
As shown in Fig. 6.2, the Mini DIP SPM input signal section integrates a 5k ? (typical) pull-down resistor.
Therefore, when using an external filtering resistor between the CPU output and the Mini DIP SPM input
attention should be given to the signal voltage drop at the Mini DIP SPM input terminals to satisfy the turn-on
threshold voltage requirement. For instance, R = 100 ? and C=1nF for the parts shown dotted in Fig. 6.1.
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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