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参数资料
型号： FSBB15CH60C
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 14/64页
文件大小： 0K
描述： IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC
标准包装： 10
系列： SPM™
类型： IGBT
配置： 3 相
电流： 15A
电压： 600V
电压 - 隔离： 2500Vrms
封装/外壳： SPM27CC
产品目录页面： 1223 (CN2011-ZH PDF)
Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
Pin Arrangement
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V CC(L)
COM
IN (UL)
IN (VL)
IN (WL)
V FO
C FOD
C SC
IN (UH)
V CC(UH)
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
V S(U)
IN (VH)
V CC(VH)
V B(V)
V S(V)
IN (WH)
V CC(WH)
V B(W)
V S(W)
N U
23
24
25
26
27
N W
U
V
W
P
11 V B(U)
22
N V
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
14
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PDF描述
FSBB15CH60F MODULE SPM 600V SPM27-CA
FSBB20CH60CL SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB
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FSBB20CH60C MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC
FSBB20CH60SL MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA
相关代理商/技术参数
参数描述
FSBB15CH60C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
FSBB15CH60F 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FSBB20CH60 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60B 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FSBB20CH60BT 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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