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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 47/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Z th(J-C)_IGBT
7
6
5
4
3
2
1
0
Z th(J-C)_FRD
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Duration [sec]
Pulse Duration [sec]
(d) FSBF3CH60B
Figure 9.2 Normalized Thermal impedance curves.
9.2.2 Measurement Method
During the thermal resistance test, T j , T c (or T a ) and P D should be measured. Since T c , T a and P D can
be measured directly, the only unknown constant is the junction temperature, T j . The Electrical Test Method
(ETM) is widely used to measure the junction temperature. The ETM is a test method using the relationship
between forward drop voltage and junction temperature. This relationship is an intrinsic electro-thermal
property of semiconductor junctions, and is characterized by a nearly linear relationship between the
forward-biased drop voltage and the junction temperature, when a constant forward-biased current (sense
current) is applied. This voltage drop of the junction is called Temperature Sensitive Parameter (TSP). Figure
9.3 illustrates the concept of measuring the voltage drop vs. junction temperature relationship for a diode
junction. The device under test (DUT) is embedded in hot fluid to heat DUT up to desired temperatures.
Voltage
M easure
Thermocouple
attached to case
Sense
Current
D evice
S tirred
D ielectic B ath
Heater
Figure 9.3 Illustration of the bath method for TSP measurement
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
47
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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