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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 20/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
4. Internal Circuit and Features
Figure 4.1 illustrates the internal block diagram of the Mini DIP SPM. It should be noted that the Mini
DIP SPM consists of a three-phase IGBT inverter circuit power block and four drive ICs for control functions.
The detailed features and integrated functions of Mini DIP SPM and the benefits acquired by using it are
described as follows.
(19) V B(W)
VB
P (27)
(18) V CC(H)
(17) IN (WH)
(20) V S(W)
(15) V B(V)
(14) V CC(H)
(13) IN (VH)
(16) V S(V)
(11) V B(U)
(10) V CC(H)
(9) IN (UH)
(12) V S(U)
VCC
COM
IN
VB
VCC
COM
IN
VB
VCC
COM
IN
OUT
VS
OUT
VS
OUT
VS
W (26)
V (25)
U (24)
(8) C SC
C(SC) OUT(WL)
(7) C FOD
(6) V FO
(5) IN (WL)
(4) IN (VL)
(3) IN (UL)
(2) COM
C(FOD)
VFO
IN(WL) OUT(VL)
IN(VL)
IN(UL)
N W (23)
N V (22)
(1) V CC(L)
COM
VCC
OUT(UL)
V SL
N U (21)
Figure 4.1 Internal circuit
Features
? 600V/3A to 30A rating in one physical package size (mechanical layouts are identical)
? Low-loss efficient IGBTs and FRDs optimized for motor drive applications
? Compact and low-cost transfer mold package allows inverter design miniaturization.
? High reliability due to fully tested coordination of HVIC and IGBTs.
? 3-phase IGBT Inverter Bridge including control ICs for gate driving and protection
-
-
High-side: Control circuit under voltage (UV) protection (without fault signal output)
Low-side: UV, Thermal Shut Down (TSD) and Short-Circuit (SC) protection by means of
external shunt resistor. (with fault signal output)
? Single-grounded power supply and opto-coupler-less interface due to built-in HVIC
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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