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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 30/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
Table 7.1 Mini DIP SPM Functions versus Control Power Supply Voltage
Control Voltage Range [V]
Mini DIP SPM Function Operations
Control IC does not operate. Under voltage lockout and fault output do not operate.
0~4
dV/dt noise on the main P-N supply might trigger the IGBTs.
Control IC starts to operate. As the under voltage lockout is set, control input signals are
4 ~ 12.5
blocked and a fault signal Fo is generated.
Under voltage lockout is reset. IGBTs will be operated in accordance with the control
12.5 ~ 13.5
13.5 ~ 16.5 for V CC
gate input. Driving voltage is below the recommended range so V CE(sat) and the
switching loss will be larger than that under normal condition.
Normal operation. This is the recommended operating condition.
13 ~ 18.5 for V BS
IGBTs are still operated. Because driving voltage is above the recommended range,
16.5 ~ 20 for V CC
18.5 ~ 20 for V BS
Over 20
IGBTs’ switching is faster. It causes increasing system noise. And peak short circuit
current might be too large for proper operation of the short circuit protection.
Control circuit in the Mini DIP SPM might be damaged.
7.2 Under-Voltage Protection
The LVIC has an under voltage lockout function to protect low side IGBTs from operation with
insufficient gate driving voltage. A timing chart for this protection is shown in Fig. 7.1.
a1 : Control supply voltage rises :
After the voltage rises UVCCR, the circuits start to operate when next input is applied
a2 : Normal operation : IGBT ON and carrying current.
a3 : Under voltage detection ( UVCCD)
a4 : IGBT OFF in spite of control input condition
a5 : Fault output operation starts
a6 : Under voltage reset ( UVCCR)
a7 : Normal operation : IGBT ON and carrying current
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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