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参数资料
| 型号： | FSBB15CH60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 23/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 15A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CC |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
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Mini DIP (SPM3) Application Note (2012-07-09)
Figure 5.1 shows that the normal turn-off switching operations can be performed satisfactorily at a
450V DC-link voltage, with the surge voltage between P and N pins (V PN(Surge) ) is limited to under 500V. We
can also see the difference between the hard and soft turn-off switching operation from Fig. 5.2. The hard
turn-off of the IGBT causes a large overshoot (up to 100V). Hence, the DC-link capacitor supply voltage
should be limited to 400V to safely protect the Mini DIP SPM. A hard turn-off, with a duration of less than
approximately 2 ? s, may occur in the case of a short-circuit fault. For a normal short-circuit fault, the
protection circuit becomes active and the IGBT is turned off very softly to prevent excessive overshoot
voltage. An overshoot voltage of 30~50V occurs for this condition. Figures 5.1-5.2 are the experimental
results of the safe operating area test. However, it is strongly recommended that the Mini DIP SPM should
not be operated under these conditions.
V PN(SURGE) @Tj=25 o C
V PN(SURGE) @Tj=125 o C
I C @Tj=125 o C
I C @Tj=25 o C
100V/div, 100ns/div, 5A/div
Figure 5.1 Normal current turn-off waveforms @ V PN =450V
V PN(SURGE) @ Hard off
V PN(SURGE) @ Soft off
I C @ Soft off
I C @ Hard off
100V/div, 20A/div, 200ns/div
Figure 5.2 Short-circuit current turn-off waveforms @ V PN =400V, T j =125 ? C
? 2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - Smart Power Module
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
| FSBB20CH60CT | MODULE ADV MOTION SPM SPM27-CC |
| FSBB20CH60C | MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC |
| FSBB20CH60SL | MODULE SPM 600V 20A SPM27-CA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB15CH60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor |
| FSBB15CH60F | 功能描述:IGBT 晶体管 600V SPM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FSBB20CH60 | 功能描述:IGBT 模块 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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