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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 123/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
AC and DC Logic Input Measurement Levels for Differential
Signals
AC and DC Logic Input Measurement Levels for Differential Signals
Figure 85: Differential AC Swing Time and t DVAC
t DVAC
V IH,diff(AC)min
V IH,diff(DC)min
CK, CK#
0.0
V IH,diff(DC)max
1/2 cycle
DQS, DQS#
t DVAC
V IH,diff(AC)max
Time
Table 66: Differential AC and DC Input Levels
For CK and CK#, V REF = V REFCA(DC) ; For DQS and DQS# V REF = V REFDQ(DC)
LPDDR2-1066 to LPDDR2-466
LPDDR2-400 to LPDDR2-200
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Unit Notes
V IH,diff(AC)
Differential input
2 × (V IH(AC) - V REF )
Note 1
2 × (V IH(AC) - V REF )
Note 1
V
2
HIGH AC
V IL,diff(AC)
Differential input
Note 1
2 × (V REF - V IL(AC) )
Note 1
2 × (V REF - V IL(AC) )
V
2
LOW AC
V IH,diff(DC)
Differential input
2 × (V IH(DC) - V REF )
Note 1
2 × (V IH(DC) - V REF )
Note 1
V
3
HIGH
V IL,diff(DC)
Differential input
Note 1
2 × (V REF - V IL(DC) )
Note 1
2 × (V REF - V IL(DC) )
V
3
LOW
Notes:
1. These values are not defined, however the single-ended signals CK, CK#, DQS, and DQS#
must be within the respective limits (V IH(DC)max , V IL(DC)min ) for single-ended signals and
must comply with the specified limitations for overshoot and undershoot (see Figure 91
(page 130)).
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
123
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| IDT71V65803S150PFG | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
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