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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 89/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
MODE REGISTER READ
Figure 64: Temperature Sensor Timing
Device
Temp
Margin
Temp
< (tTSI + ReadInterval + SysRespDelay)
2C
Temp
Grad
ient
MR4
Trip Level
tTSI
MR4 = 0x03
MR4 = 0x86
MR4 = 0x86
MR4 = 0x86
MR4 = 0x86
Time
Temperture sensor update
ReadInterval
SysRespDelay
Host MR4 READ
MRR MR4 = 0x03
MRR MR4 = 0x86
DQ Calibration
Mobile LPDDR2 devices feature a DQ calibration function that outputs one of two pre-
defined system timing calibration patterns. For x16 devices, pattern A (MRR to MRR32),
and pattern B (MRR to MRR40), will return the specified pattern on DQ0 and DQ8; x32
devices return the specified pattern on DQ0, DQ8, DQ16, and DQ24.
For x16 devices, DQ[7:1] and DQ[15:9] drive the same information as DQ0 during the
MRR burst. For x32 devices, DQ[7:1], DQ[15:9], DQ[23:17], and DQ[31:25] drive the
same information as DQ0 during the MRR burst. MRR DQ calibration commands can
occur only in the idle state.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
89
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| IDT71V65803S150PFG | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| IDT71V67903S85BQI8 | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
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