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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 95/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Power-Down
Figure 68: Power-Down Entry and Exit Timing
2 tCK (MIN)
CK/CK#
tIHCKE
Input clock frequency can be changed
or the input clock can be stopped during power-down. 1
tIHCKE
tCKE (MIN)
CKE
CS#
tISCKE
tCKE (MIN)
tISCKE
tXP (MIN)
Valid Enter NOP
CMD
PD
Exit
PD
NOP Valid Valid
Enter power-down mode
Exit power-down mode
Don’t Care
Note:
1. Input clock frequency can be changed or the input clock stopped during power-down,
provided that the clock frequency is between the minimum and maximum specified fre-
quencies for the speed grade in use, and that prior to power-down exit, a minimum of
two stable clocks complete.
Figure 69: CKE Intensive Environment
CK#
CK
t CKE
t CKE
t CKE
t CKE
CKE
Figure 70: REFRESH-to-REFRESH Timing in CKE Intensive Environments
CK#
CK
t CKE
t CKE
t CKE
t CKE
CKE
CMD
t XP
REFRESH
t REFI
t XP
REFRESH
Note:
1. The pattern shown can repeat over an extended period of time. With this pattern, all
AC and DC timing and voltage specifications with temperature and voltage drift are en-
sured.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
95
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
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