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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 127/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Output Characteristics and Operating Conditions
Input Slew Rate
Table 70: Differential Input Slew Rate Definition
Measured 1
Description
From
To
Defined by
Differential input slew rate for rising
V IL,diff,max
V IH,diff,min
[V IH,diff,min - V IL,diff,max
Δ TR diff
edge (CK/CK# and DQS/DQS#)
Differential input slew rate for falling
V IH,diff,min
V IL,diff,max
[V IH,diff,min - V IL,diff,max
Δ TF diff
edge (CK/CK# and DQS/DQS#)
Note:
1. The differential signals (CK/CK# and DQS/DQS#) must be linear between these thresh-
olds.
Figure 88: Differential Input Slew Rate Definition for CK, CK#, DQS, and DQS#
TF diff
TR diff
V IH,diff,min
0
V IL,diff,max
Time
Output Characteristics and Operating Conditions
Table 71: Single-Ended AC and DC Output Levels
Symbol
V OH(AC)
V OL(AC)
V OH(DC)
V OL(DC)
Parameter
AC output HIGH measurement level (for output slew rate)
AC output LOW measurement level (for output slew rate)
DC output HIGH measurement level (for I-V curve linearity)
DC output LOW measurement level (for I-V curve linearity)
Value
V REF + 0.12
V REF - 0.12
0.9 x V DDQ
0.1 x V DDQ
Unit
V
V
V
V
Notes
1
2
I OZ
MMpupd
Output leakage current (DQ, DM, DQS, DQS#); DQ,
DQS, DQS# are disabled; 0V ≤ V OUT ≤ V DDQ
Delta output impedance between pull-up and pull-
down for DQ/DM
MIN
MAX
MIN
MAX
–5
+5
–15
+15
μ A
μ A
%
%
Notes:
1. I OH = –0.1mA.
2. I OL = 0.1mA.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
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