参数资料
型号: MT42L64M32D1KL-3 IT:A
厂商: Micron Technology Inc
文件页数: 63/164页
文件大小: 0K
描述: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: 移动 LPDDR2 SDRAM
存储容量: 2G(64M x 32)
速度: 333MHz
接口: 并联
电源电压: 1.14 V ~ 1.3 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 168-WFBGA
供应商设备封装: 168-FBGA(12x12)
包装: 散装
2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Burst WRITE Command
Figure 39: Data Input (WRITE) Timing
DQS
DQS#
t WPRE
DQS#
DQS
V IH(AC)
t DQSH
V IH(DC)
t DQSL
V IH(AC)
V IH(DC)
t WPST
DQ
D IN
D IN
D IN
D IN
V IL(AC)
t DS
t DH
V IL(DC)
V IH(AC)
t DS
t DH
V IL(AC)
V IH(DC)
t DS
t DH
V IL(DC)
V IH(AC)
t DS
t DH
V IH(DC)
DM
V IL(AC)
V IL(DC)
V IL(AC)
V IL(DC)
Don’t Care
Figure 40: Burst WRITE – WL = 1, BL = 4
T0
T1
T2
T3
T4
Tx
Tx + 1
Ty
Ty + 1
CK#
CK
WL = 1
CA[9:0]
Bank n
col addr
Col addr
Bank n
Bank n
row addr
Row addr
CMD
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVATE
NOP
Case 1: t DQSSmax
t DQSSmax
t D S S
t D S S
Completion of burst WRITE
DQS#
DQS
t WR
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Case 2: t DQSSmin
t DQSSmin
t DSH
t DSH
t RP
DQS#
DQS
t WR
DQ
D IN A0
D IN A1
D IN A2
D IN A3
Transitioning data
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
63
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PDF描述
GSC60DTEI CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET
MT42L64M32D1KL-25 IT:A IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA
IDT71V67803S133BQG8 IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA
IDT71V65803S150PFG IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP
IDT71V67903S85BQI8 IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA
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