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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 97/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Power-Down
Figure 72: READ with Auto Precharge to Power-Down Entry
BL = 4
T0
T1
T2
Tx
Tx + 1
Tx + 2
Tx + 3
Tx + 4
Tx + 5
Tx + 6
Tx + 7
Tx + 8
Tx + 9
CK#
CK
BL/2 3
RL
t ISCK E
CKE 1, 2
CMD
DQ
DQS#
DQS
BL = 8
READ w/AP
PRE 4
D OUT D OUT D OUT D OUT
T0
T1
T2
Tx
Tx + 1
Tx + 2
Tx + 3
Tx + 4
Tx + 5
Tx + 6
Tx + 7
Tx + 8
Tx + 9
CK#
CK
RL
BL/2 3
t ISCK E
CKE
1, 2
CMD
DQ
DQS#
DQS
READ w/AP
Notes:
PRE 4
D OUT D OUT D OUT D OUT D OUT D OUT D OUT D OUT
1. CKE must be held HIGH until the end of the burst operation.
2. CKE can be registered LOW at (RL + RU( t DQSCK/ t CK)+ BL/2 + 1) clock cycles after the
clock on which the READ command is registered.
3. BL/2 with t RTP = 7.5ns and t RAS (MIN) is satisfied.
4. Start internal PRECHARGE.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
97
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| IDT71V65803S150PFG | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| IDT71V67903S85BQI8 | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
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