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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 98/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Power-Down
Figure 73: WRITE to Power-Down Entry
BL = 4
T0
T1
Tm
Tm + 1
Tm + 2
Tm + 3
Tx
Tx + 1
Tx + 2
Tx + 3
Tx + 4
Tx + 5
Tx + 6
CK#
CK
WL
CKE 1
BL/2
t WR
t ISCKE
CMD
WRITE
DQ
D IN
D IN
D IN
D IN
DQS#
DQS
BL = 8
T0
T1
Tm
Tm +m1
Tm + 2
Tm + 3
Tm + 4
Tm + 5
Tx
Tx + 1
Tx + 2
Tx + 3
Tx + 4
CK#
CK
WL
BL/2
t ISCKE
CKE 1
t WR
CMD
WRITE
DQ
D IN
D IN
D IN
D IN
D IN
D IN
D IN
D IN
DQS#
DQS
Note:
1. CKE can be registered LOW at (WL + 1 + BL/2 + RU( t WR/ t CK)) clock cycles after the clock
on which the WRITE command is registered.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
98
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PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
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