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参数资料
| 型号： | MT42L64M32D1KL-3 IT:A |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 56/164页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 2G（64M x 32） |
| 速度： | 333MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.3 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 168-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 168-FBGA（12x12） |
| 包装： | 散装 |
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2Gb: x16, x32 Mobile LPDDR2 SDRAM S4
Burst READ Command
Figure 29: READ Output Timing – t DQSCK (MAX)
CK#
RL - 1
RL
t CH
t CL
RL + BL/ 2
CK
DQS#
DQS
t LZ(DQS)
t DQSCKmax
t RPRE
t QH
t DQSQmax
t HZ(DQS)
t RPST
t QH
t DQSQmax
DQ
D OUT
D OUT
D OUT
D OUT
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
Transitioning data
Notes:
1. t DQSCK can span multiple clock periods.
2. An effective burst length of 4 is shown.
Figure 30: READ Output Timing – t DQSCK (MIN)
CK#
RL - 1
RL
t CH
t CL
RL + BL/2
CK
DQS#
DQS
t LZ(DQS)
t RPRE
t DQSCKmin
t QH
t DQSQmax
t HZ(DQS)
t RPST
t QH
t DQSQmax
DQ
D OUT
D OUT
D OUT
D OUT
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
Transitioning data
Note:
1. An effective burst length of 4 is shown.
PDF: 09005aef83f3f2eb
2gb_mobile_lpddr2_s4_g69a.pdf – Rev. N 3/12 EN
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSC60DTEI | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| MT42L64M32D1KL-25 IT:A | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA |
| IDT71V67803S133BQG8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA |
| IDT71V65803S150PFG | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
| IDT71V67903S85BQI8 | IC SRAM 9MBIT 85NS 165FBGA |
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