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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 14/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Electrical Specifications
Electrical Specifications
Absolute Maximum Ratings
Stresses greater than those listed may cause permanent damage to the device. This is a
stress rating only, and functional operation of the device at these or any other condi-
tions above those indicated in the operational sections of this specification is not im-
plied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
Table 4: Absolute Maximum Ratings
Voltage/Temperature
Symbol
Min
Max
Units
Voltage on V DD /V DDQ supply relative to V SS
V DD /V DDQ
1
–0.5
2.4
V
Voltage on inputs, NC or I/O balls relative to V SS
V IN
–0.5
2.4
Storage temperature (plastic)
T STG
–55
150
?C
Note:
1. V DD and V DDQ must be within 300mV of each other at all times. V DDQ must not exceed
V DD .
Table 5: DC Electrical Characteristics and Operating Conditions
Notes 1 and 2 apply to all parameters and conditions; V DD /V DDQ = 1.7–1.95V
Parameter/Condition
Supply voltage
I/O supply voltage
Input high voltage: Logic 1; All inputs
Input low voltage: Logic 0; All inputs
Output high voltage
Output low voltage
Input leakage current:
Symbol
V DD
V DDQ
V IH
V IL
V OH
V OL
I I
Min
1.7
1.7
0.8 × V DDQ
–0.3
0.9 × V DDQ
–
–1.0
Max
1.95
1.95
V DDQ + 0.3
+0.3
–
0.2
1.0
Units
V
V
V
V
V
V
μ A
Notes
3
3
4
4
Any input 0V ≤ V IN ≤ V DD (All other balls not under test = 0V)
Output leakage current: DQ are disabled; 0V ≤ V O UT ≤ V DDQ
I OZ
–1.5
1.5
μ A
Operating temperature:
Industrial
Commercial
Automotive
T A
T A
T A
–40
0
–40
85
70
105
?C
?C
?C
Notes:
1. All voltages referenced to V SS .
2. A full initialization sequence is required before proper device operation is ensured.
3. V IH,max overshoot: V IH,max = V DDQ + 2V for a pulse width ≤ 3ns, and the pulse width can-
not be greater than one- third of the cycle rate. V IL undershoot: V IL,min = –2V for a pulse
width ≤ 3ns.
4. I OUT = 4mA for full drive strength. Other drive strengths require appropriate scale.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
14
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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