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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 52/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
READ Operation
Continuous-page READ bursts can be truncated with a BURST TERMINATE command
and fixed-length READ bursts can be truncated with a BURST TERMINATE command,
provided that auto precharge was not activated. The BURST TERMINATE command
should be issued x cycles before the clock edge at which the last desired data element is
valid, where x = CL - 1. This is shown in Figure 22 (page 52) for each possible CAS la-
tency; data element n + 3 is the last desired data element of a longer burst.
Figure 22: Terminating a READ Burst
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
CLK
Command
READ
NOP
NOP
NOP
BURST
TERMINATE
NOP
NOP
X = 1 cycle
Address
Bank,
Col n
DQ
D OUT
n
D OUT
n+1
D OUT
n+2
D OUT
n+3
CL = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
Command
READ
NOP
NOP
NOP
BURST
TERMINATE
NOP
NOP
NOP
X = 2 cycles
Address
Bank,
Col n
DQ
D OUT
n
D OUT
n+1
D OUT
n+2
D OUT
n+3
Note:
CL = 3
1. DQM is LOW.
Transitioning data
Don’t Care
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
52
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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