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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 30/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Commands
WRITE
The WRITE command is used to initiate a burst write access to an active row. The values
on the BA0 and BA1 inputs select the bank; the address provided selects the starting col-
umn location. The value on input A10 determines whether auto precharge is used. If au-
to precharge is selected, the row being accessed is precharged at the end of the write
burst; if auto precharge is not selected, the row remains open for subsequent accesses.
Input data appearing on the DQ is written to the memory array, subject to the DQM in-
put logic level appearing coincident with the data. If a given DQM signal is registered
LOW, the corresponding data is written to memory; if the DQM signal is registered
HIGH, the corresponding data inputs are ignored and a WRITE is not executed to that
byte/column location.
Figure 10: WRITE Command
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
Address
A10 1
BA0, BA1
HIGH
Column address
EN AP
DIS AP
Bank address
Valid address
Don’t Care
Note:
1. EN AP = enable auto precharge, DIS AP = disable auto precharge.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
30
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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