- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录345 > MT48H32M16LFB4-75B IT:C (Micron Technology Inc)IC SDRAM 512MB 54VFBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 66/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页当前第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页
512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
PRECHARGE Operation
Figure 36: READ With Auto Precharge Interrupted by a WRITE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
Command
READ - AP
Bank n
NOP
NOP
NOP
WRITE - AP
Bank m
NOP
NOP
NOP
Internal
States
Bank n
Bank m
Page
active
READ with burst of 4
Page active
Interrupt burst, precharge
t RP - bank n
WRITE with burst of 4
Idle
t WR - bankm
Write-back
Address
DQM 1
Bank n,
Col a
Bank m,
Col d
DQ
D OUT
a
D IN
d
D IN
d+1
D IN
d+2
D IN
d+3
CL = 3 (bank n)
Don’t Care
Note:
1. DQM is HIGH at T2 to prevent D OUT a + 1 from contending with D IN d at T4.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
66
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。