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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 59/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
WRITE Operation
Figure 30: WRITE-to-PRECHARGE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
CLK
t WR @ t CK ≥ 15ns
DQM
tRP
Command
WRITE
NOP
PRECHARGE
NOP
NOP
ACTIVE
NOP
Address
Bank a,
Col n
Bank
(a or all)
Bank a,
Row
t WR
DQ
D IN
n
D IN
n+1
t WR @ t CK < 15ns
DQM
tRP
Command
WRITE
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
NOP
ACTIVE
Address
Bank a,
Col n
Bank
(a or all)
Bank a,
Row
t WR
DQ
D IN
n
D IN
n+1
Don’t Care
Note:
1. In this example DQM could remain LOW if the WRITE burst is a fixed length of two.
Fixed-length WRITE bursts can be truncated with the BURST TERMINATE command.
When truncating a WRITE burst, the input data applied coincident with the BURST
TERMINATE command is ignored. The last data written (provided that DQM is LOW at
that time) will be the input data applied one clock previous to the BURST TERMINATE
command. This is shown in Figure 31 (page 60), where data n is the last desired data
element of a longer burst.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
59
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
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参数描述 |
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