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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 20/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Electrical Specifications – AC Operating Conditions
Electrical Specifications – AC Operating Conditions
Table 12: Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions
Notes 1–5 apply to all parameters and conditions
AC Characteristics
-6
-75
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Access time from CLK (positive edge)
CL = 3
t AC
–
5
–
5.4
ns
CL = 2
–
8
–
8
Address hold time
Address setup time
CLK high-level width
CLK low-level width
t AH
t AS
t CH
t CL
1
1.5
2.5
2.5
–
–
–
–
1
1.5
2.5
2.5
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
Clock cycle time
CL = 3
t CK
6
–
7.5
–
ns
6
CL = 2
9.6
–
9.6
–
CKE hold time
CKE setup time
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM hold time
CS#, RAS#, CAS#, WE#, DQM setup time
Data-in hold time
Data-in setup time
t CKH
t CKS
t CMH
t CMS
t DH
t DS
1
1.5
1
1.5
1
1.5
–
–
–
–
–
–
1
1.5
1
1.5
1
1.5
–
–
–
–
–
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Data-out High-Z time
CL = 3
t HZ
–
5
–
5.4
ns
7
CL = 2
–
8
–
8
ns
Data-out Low-Z time
Data-out hold time (load)
Data-out hold time (no load)
ACTIVE-to-PRECHARGE command
t LZ
t OH
t OHn
t RAS
1
2.5
1.8
42
–
–
–
120,000
1
2.5
1.8
45
–
–
–
120,000
ns
ns
ns
ns
ACTIVE-to-ACTIVE command period
ACTIVE-to-READ or WRITE delay
Refresh period (8192 rows)
AUTO REFRESH period
PRECHARGE command period
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b command
Transition time
WRITE recovery time
Exit SELF REFRESH-to-ACTIVE command
t RC
t RCD
t REF
t RFC
t RP
t RRD
t T
t WR
t XSR
60
18
–
72
18
2
0.3
15
120
–
–
64
–
–
–
1.2
–
–
67.5
19.2
–
72
19.2
2
0.3
15
120
–
–
64
–
–
–
1.2
–
–
ns
ns
ms
ns
ns
t CK
ns
ns
ns
8
9, 18
10
11
12
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
20
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PDF描述 |
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