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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 51/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页当前第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页
512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
READ Operation
Figure 20: READ-to-WRITE With Extra Clock Cycle
T0
T1
T2
T3
T4
T5
CLK
DQM
Command
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE
Address
Bank,
Col n
tHZ
Bank,
Col b
DQ
D OUT n
Transitioning data
D IN b
tDS
Don’t Care
Note:
1. CL = 3. The READ command can be issued to any bank, and the WRITE command can be
to any bank.
Figure 21: READ-to-PRECHARGE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
tRP
Command
READ
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
NOP
ACTIVE
X = 1 cycle
Address
Bank a,
Col n
Bank
(a or all)
Bank a,
Row
DQ
D OUT
n
D OUT
n+1
D OUT
n+2
D OUT
n+3
CL = 2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
t RP
Command
READ
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
NOP
ACTIVE
X = 2 cycles
Address
Bank a,
Col
Bank
(a or all)
Bank a,
Row
DQ
D OUT
n
D OUT
n+1
D OUT
n+2
D OUT
n+3
CL = 3
Transitioning data
Don’t Care
Note:
1. DQM is LOW.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
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| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
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参数描述 |
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