- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录345 > MT48H32M16LFB4-75B IT:C (Micron Technology Inc)IC SDRAM 512MB 54VFBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 73/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页当前第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页
512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
PRECHARGE Operation
Figure 44: WRITE Without Auto Precharge
CLK
T0
tCKS
tCKH
tCK
T1
tCL
T2
tCH
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
CKE
tCMS
tCMH
Command
ACTIVE
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
PRECHARGE
NOP
ACTIVE
tCMS tCMH
DQM
tA S
tAH
Address
A10
Row
tA S
tAH
Row
Column m
All banks
Row
Row
tA S
tAH
Disable auto precharge
Single bank
BA0, BA1
Bank
Bank
Bank
Bank
tD S
tDH
tD S
tDH
tD S
tDH
tD S
tDH
DQ
tRCD
D IN m
D IN m + 1
D IN m + 2
D IN m + 3
tWR
tRP
tRAS
tRC
Don’t Care
Note:
1. For this example, BL = 4 and the WRITE burst is followed by a manual PRECHARGE.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
73
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。