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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 71/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
PRECHARGE Operation
Figure 41: WRITE With Auto Precharge Interrupted by a READ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
Command
NOP
WRITE - AP
Bank n
NOP
READ - AP
Bank m
NOP
NOP
NOP
NOP
Internal
States
Bank n
Page active
WRITE with burst of 4
Interrupt burst, write-back
t WR - bank n
Precharge
t RP - bank n
tRP - bank m
Bank m
Address
Page active
Bank n,
Col a
READ with burst of 4
Bank m,
Col d
DQ
D IN
a
D IN
a+1
D OUT
d
D OUT
d+1
CL = 3 (bank m)
Don’t Care
Note:
1. DQM is LOW.
Figure 42: WRITE With Auto Precharge Interrupted by a WRITE
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK
Command
NOP
WRITE - AP
Bank n
NOP
NOP
WRITE - AP
Bank m
NOP
NOP
NOP
Bank n
Page active
WRITE with burst of 4
Interrupt burst, write-back
Precharge
Internal
States
Bank m
Page active
t WR - bank n
WRITE with burst of 4
tRP - bank n
tWR - bank m
Write-back
Address
Bank n,
Col a
Bank m,
Col d
DQ
D IN
a
D IN
a+1
D IN
a+2
D IN
d
D IN
d+1
D IN
d+2
D IN
d+3
Don’t Care
Note:
1. DQM is LOW.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
71
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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