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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 22/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Electrical Specifications – AC Operating Conditions
10. AC characteristics assume t T = 1ns. For command and address input slew rates <0.5V/ns,
timing must be derated. Input setup times require an additional 50ps for each 100
mV/ns reduction in slew rate. Input hold times remain unchanged. If the slew rate ex-
ceeds 4.5V/ns, functionality is uncertain.
11. For auto precharge mode, the precharge timing budget ( t RP) begins at t RP – (1 × t CKns),
after the first clock delay and after the last WRITE is executed.
12. CLK must be toggled a minimum of two times during this period.
13. Required clocks are specified by JEDEC functionality and are not dependent on any tim-
ing parameter.
14. Timing is specified by t CKS. Clock(s) specified as a reference only at minimum cycle rate.
15. Timing is specified by t WR plus t RP. Clock(s) specified as a reference only at minimum cy-
cle rate.
16. Timing is specified by t WR.
17. Based on t CK (MIN), CL = 3.
18. For the automotive temperature parts, t REF = t REF/2.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
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Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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