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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 23/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Output Drive Characteristics
Output Drive Characteristics
Table 14: Target Output Drive Characteristics (Full Strength)
Notes 1–2 apply to all parameters and conditions; characteristics are specified under best and worst process variations/
conditions
Pull-Down Current (mA)
Pull-Up Current (mA)
Voltage (V)
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
Min
0.00
2.80
5.60
8.40
11.20
14.00
16.80
19.60
22.40
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
23.80
–
–
Max
0.00
18.53
26.80
32.80
37.05
40.00
42.50
44.57
46.50
47.48
48.50
49.40
50.05
51.35
52.65
53.95
55.25
56.55
57.85
59.15
60.45
61.75
Min
0.00
–2.80
–5.60
–8.40
–11.20
–14.00
–16.80
–19.60
–22.40
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–23.80
–
–
Max
0.00
–18.53
–26.80
–32.80
–37.05
–40.00
–42.50
–44.57
–46.50
–47.48
–48.50
–49.40
–50.05
–51.35
–52.65
–53.95
–55.25
–56.55
–57.85
–59.15
–60.45
–61.75
Notes:
1. Table values based on nominal impedance of 25 Ω (full drive strength) at V DDQ /2.
2. The full variation in drive current, from minimum to maximum (due to process, voltage,
and temperature) will lie within the outer bounding lines of the I-V curves.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
23
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PDF描述 |
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参数描述 |
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