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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 53/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
READ Operation
Figure 23: Alternating Bank Read Accesses
CLK
T0
tCK
T1
tCL
T2
tCH
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CKE
tCKS
tCMS
tCKH
tCMH
Command
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
tCMS tCMH
DQM
tA S
tAH
Address
Row
Column m
Row
Column b
1
Row
tA S
tAH
Enable auto precharge
Enable auto precharge
A10
Row
tA S
tAH
Row
Row
BA0, BA1
Bank 0
Bank 0
Bank 3
tAC
tAC
Bank 3
tAC
tAC
Bank 0
tAC
tAC
tOH
tOH
tOH
tOH
tOH
DQ
t L Z
D OUT m
D OUT
m+1
D OUT
m+2
D OUT
m+3
D OUT b
tRCD - bank 0
CL - bank 0
tRP - bank 0
tRCD - bank 0
tRAS - bank 0
tRC - bank 0
tRRD
Note:
tRCD - bank 3
1. For this example, BL = 4 and CL = 2.
CL - bank 3
Don’t Care
Undefined
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
53
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2011 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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