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参数资料
| 型号： | MT48H32M16LFB4-75B IT:C |
| 厂商： | Micron Technology Inc |
| 文件页数： | 32/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SDRAM 512MB 54VFBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 SDRAM |
| 存储容量： | 512M（32Mx16） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 54-VFBGA |
| 供应商设备封装： | 54-VFBGA（8x8） |
| 包装： | 散装 |
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512Mb: 32 Meg x 16, 16 Meg x 32 Mobile SDRAM
Commands
SELF REFRESH
The SELF REFRESH command is used to place the device in self refresh mode. The self
refresh mode is used to retain data in the SDRAM while the rest of the system is pow-
ered down. When in self refresh mode, the device retains data without external clocking.
The SELF REFRESH command is initiated like an AUTO REFRESH command, except
that CKE is disabled (LOW). After the SELF REFRESH command is registered, the inputs
become “Don’t Care,” with the exception of CKE, which must remain LOW.
DEEP POWER-DOWN
The DEEP POWER-DOWN (DPD) command is used to enter deep power-down mode,
achieving maximum power reduction by eliminating the power to the memory array. To
enter DPD, all banks must be idle. While CKE is LOW, hold CS# and WE# LOW, and hold
RAS# and CAS# HIGH at the rising edge of the clock. To exit DPD, assert CKE HIGH.
PDF: 09005aef8459c827
512mb_mobile_sdram_y67m_at.pdf – Rev. B 3/11 EN
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA |
| MTC100-JA2-P34 | CONTACT INSERT PIN |
| MX841BE | IC CONVERTER WHITE LED 8-SOIC |
| MXHV9910BTR | IC LED DRIVER HIGH BRIGHT 8-SOIC |
| MXN12FB12F | MOTOR BRUSHED DC 12V 2922RPM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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