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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 10/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页当前第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
Table 6: Capacitance (x16, x32)
Note 1 applies to all the parameters in this table
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input capacitance: CK, CK#
CCK
1.5
3.0
pF
Delta input capacitance: CK, CK#
CDCK
–
0.25
pF
Input capacitance: command and address
CI
1.5
3.0
pF
Delta input capacitance: command and address
CDI
–
0.5
pF
Input/output capacitance: DQ, DQS, DM
CIO
2.0
4.5
pF
Delta input/output capacitance: DQ, DQS, DM
CDIO
–
0.5
pF
Notes: 1. This parameter is sampled. VDD/VDDQ = 1.70–1.95V, f = 100 MHz, TA = 25C, VOUT(DC) =
VDDQ/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2V. DM input is grouped with I/O pins, reflecting the
fact that they are matched in loading.
2. The input capacitance per pin group will not differ by more than this maximum amount
for any given device.
3. The I/O capacitance per DQS and DQ byte/group will not differ by more than this maxi-
mum amount for any given device.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Electrical Specifications
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
18
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PDF描述 |
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