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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 2/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
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Ball Assignments
Figure 4: 60-Ball VFBGA – Top View, x16 only
1
2
3
4
6
7
8
9
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
NC
CK#
A12
A8
A5
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CKE
A9
A6
VSS
DQ15
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CK
A11
A7
A4
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
A13
WE#
CS#
A10/AP
A2
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
CAS#
BA0
A0
A3
VDD
VSSQ
VDDQ
VDD
RAS#
BA1
A1
VDD
TEST1
Notes: 1. D9 is a test pin that must be tied to VSS or VSSQ in normal operations.
2. Unused address pins become RFU.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Ball Assignments
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
10
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656L-100CB | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| M95160-MB6TP | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| M95160-WMB3T | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT45W2MV16BAFB-601WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
相关代理商/技术参数 |
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