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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 84/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页当前第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
Figure 45: Bank Read – Without Auto Precharge
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
tIS tIH
Row
tRCD
tRAS6
tRC
tRP
CL = 2
DM
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6n
T6
T7
T8
DQ7,8
DQS7
Case 1: tAC (MIN) and tDQSCK (MIN)
Case 2: tAC (MAX) and tDQSCK (MAX)
DQ7,8
DQS7
tHZ (MAX)
NOP1
Command
ACTIVE
Row
Col n
READ2
Bank x
Row
Bank x
ACTIVE
Bank x
NOP1
Don’t Care
Transitioning Data
Address
PRE3
Bank x5
tRPRE
tAC (MAX)
All banks
One bank
DOUT
tLZ (MIN)
tDQSCK (MIN)
tAC (MIN)
tRPST
tDQSCK (MAX)
Note 4
DOUT
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4 in the case shown.
3. PRE = PRECHARGE.
4. Disable auto precharge.
5. Bank x at T5 is “Don’t Care” if A10 is HIGH at T5.
6. The PRECHARGE command can only be applied at T5 if tRAS (MIN) is met.
7. Refer to Figure 29 (page 67) and Figure 30 (page 68) for DQS and DQ timing details.
8. DOUTn = data out from column n.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Auto Precharge
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
85
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PDF描述 |
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