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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 59/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
Figure 24: Nonconsecutive READ Bursts
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T1n
T4n
T5n
T6
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T1n
T4n
T5n
T6
Command
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col b
Don’t Care
Transitioning Data
DQ
DQS
CL = 2
Command
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
READ
Bank,
Col b
DQ
DQS
CL = 3
DOUT1
DOUT
Notes: 1. DOUTn (or b) = data-out from column n (or column b).
2. BL = 4, 8, or 16 (if burst is 8 or 16, the second burst interrupts the first).
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
4. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecu-
tive READs.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
62
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656L-100CB | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| M95160-MB6TP | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| M95160-WMB3T | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT45W2MV16BAFB-601WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
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