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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 3/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
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Figure 5: 90-Ball VFBGA – Top View, x32 only
VSSQ
DQ30
DQ28
DQ26
DQ24
NC
CK#
A12
A8
A5
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSSQ
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CKE
A9
A6
A4
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
DQ31
DQ29
DQ27
DQ25
DQS3
DM3
CK
A11
A7
DM1
DQS1
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
VDDQ
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
A13
WE#
CS#
A10/AP
A2
DQ7
DQ5
DQ3
DQ1
VDDQ
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
DQS2
DM2
CAS#
BA0
A0
DM0
DQS0
DQ6
DQ4
DQ2
DQ0
VDD
VSSQ
VDDQ
VSS
RAS#
BA1
A1
A3
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
1
2
3
4
6
7
8
9
5
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TEST1
Notes: 1. D9 is a test pin that must be tied to VSS or VSSQ in normal operations.
2. Unused address pins become RFU.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
Ball Assignments
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
11
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PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656L-100CB | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
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| MT45W2MV16BAFB-601WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
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