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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 77/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页当前第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
Figure 41: WRITE-to-PRECHARGE – Uninterrupting
CK
CK#
Command1
WRITE2,4
NOP
Address
Bank a,
Col b
Bank
(a or all)
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T1n
T6
DQ6
DQS
DM
DQ6
DQS
DM
DQ6
DQS
DM
Don’t Care
Transitioning Data
tWR5
PRE3,4
tDQSS (NOM)
tDQSS (MIN)
tDQSS (MAX)
tDQSS
DIN
Notes: 1. An uninterrupted burst 4 of is shown.
2. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
3. PRE = PRECHARGE.
4. The PRECHARGE and WRITE commands are to the same device. However, the PRE-
CHARGE and WRITE commands can be to different devices; in this case, tWR is not
required and the PRECHARGE command can be applied earlier.
5. tWR is referenced from the first positive CK edge after the last data-in pair.
6. DINb = data-in for column b.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
79
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656L-100CB | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
| M95160-MB6TP | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| M95160-WMB3T | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT45W2MV16BAFB-601WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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