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参数资料
| 型号： | MT46H16M32LFB5-6IT:C |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 DDR DRAM, PBGA90 |
| 封装： | 13 X 8 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件页数： | 57/95页 |
| 文件大小： | 3228K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页当前第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页
command to the same bank cannot be issued until tRP is met. Part of the row precharge
time is hidden during the access of the last data elements.
Figure 22: READ Burst
NOP
DOUT
NOP
READ
Bank a, Col n
T0
T1
T1n
T2
T2n
T3
T3n
T4
T5
DOUT
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL = 2
NOP
READ
Bank a, Col n
T0
T1
T2
T2n
T3
T3n
T4
T5
CK#
CK
Command
Address
DQS
DQ
CL = 3
Don’t Care
Transitioning Data
DOUT
Notes: 1. DOUT n = data-out from column n.
2. BL = 4.
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
Micron Confidential and Proprietary
Advance
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef83dd2b3e
t67m_512mb_mobile_lpddr.pdf - Rev. B 2/10 EN
60
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PDF描述 |
|---|---|
| ML1I-65656L-100CB | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDIP28 |
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| M95160-WMB3T | 2K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| MT45W2MV16BAFB-601WT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 60 ns, PBGA54 |
| MT45W2MV16BAFB-706LIT | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
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参数描述 |
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