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参数资料
| 型号： | MT48V8M16LFB4-75M:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 22/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页当前第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
29
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
READs
Figure 14:
Consecutive READ Bursts
Notes:
1. Each READ command may be to either bank. DQM is LOW. Shown with BL = 4.
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
NOP
BANK,
COL b
DOUT
n + 1
DOUT
n + 2
DOUT
n + 3
DOUT
b
READ
X = 0 cycles
CL = 1
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
NOP
BANK,
COL b
DOUT
n + 1
DOUT
n + 2
DOUT
n + 3
DOUT
b
READ
X = 1 cycle
CL = 2
CLK
DQ
DOUT
n
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
ADDRESS
READ
NOP
BANK,
COL n
NOP
BANK,
COL b
DOUT
n + 1
DOUT
n + 2
DOUT
n + 3
DOUT
b
READ
NOP
T7
X = 2 cycles
CL = 3
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8 ITG | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray |
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