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参数资料
| 型号： | MT48V8M16LFB4-75M:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 59/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页当前第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
62
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Figure 41:
Auto Refresh Mode
Notes:
1. Each AUTO REFRESH command performs a refresh cycle. Back-to-back commands are not
required. See Table 17 on page 53.
2. tRFC must not be interrupted by any executable command; COMMAND INHIBIT or NOP
commands must be applied on each positive clock edge during tRFC.
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ALL BANKS
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tCH
tCL
tCK
CKE
CLK
DQ
tRFC1, 2
tRP
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
BANK
ACTIVE
AUTO
REFRESH
NOP
PRECHARGE
Precharge all
active banks
AUTO
REFRESH
tRFC1, 2
High-Z
BA0, BA1
BANK(S)
(
)
(
)
(
)
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)
(
)
(
)
tAH
tAS
tCKH
tCKS
NOP
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(
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(
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(
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(
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(
)
DQMU, DQML
A0–A9, A11
ROW
(
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(
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(
)
(
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SINGLE BANK
A10
ROW
(
)
(
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T0
T1
T2
Tn + 1
To + 1
DON’T CARE
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8 ITG | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray |
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