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参数资料
| 型号： | MT48V8M16LFB4-75M:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 62/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页当前第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
65
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
Timing Diagrams
Figure 44:
Read – With Auto Precharge
Notes:
1. For this example, BL = 4 and CL = 2.
2. x16: A9 and A11 = “Don’t Care.”
x32: A8, A9, and A11 = “Don’t Care.”
ENABLE AUTO PRECHARGE
tCH
tCL
tAC
tLZ
tRP
tRAS
tRCD
CAS Latency
tRC
DQMU, DQML
CKE
CLK
A0–A9, A11
DQ
BA0, BA1
A10
tOH
DOUT m
tCMH
tCMS
tAH
tAS
tAH
tAS
tAH
tAS
ROW
BANK
ROW
BANK
DON’T CARE
UNDEFINED
tHZ
tOH
DOUT m + 3
tAC
tOH
tAC
tOH
tAC
DOUT m + 2
DOUT m + 1
COMMAND
tCMH
tCMS
NOP
ACTIVE
NOP
READ
NOP
ACTIVE
NOP
tCKH
tCKS
COLUMN m2
T0
T1
T2
T4
T3
T5
T6
T7
T8
tCK
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8 ITG | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray |
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