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参数资料
| 型号： | MT48V8M16LFB4-75M:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 50/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页当前第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
54
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
Electrical Specifications
Table 18:
AC Functional Characteristics
Parameter
Symbol
-75M
-8
-10
Units
Notes
READ/WRITE command to READ/WRITE command
tCCD
111
tCK
CKE to clock disable or power-down entry mode
tCKED
111
tCK
CKE to clock enable or power-down exit setup mode
tPED
1
tCK
DQM to input data delay
tDQD
000
tCK
DQM to data mask during WRITEs
tDQM
000
tCK
DQM to data High-Z during READs
tDQZ
222
tCK
WRITE command to input data delay
tDWD
000
tCK
Data-in to ACTIVE command
tDAL
5
tCK
Data-in to PRECHARGE command
tDPL
222
tCK
Last data-in to burst STOP command
tBDL
111
tCK
Last data-in to new READ/WRITE command
tCDL
111
tCK
Last data-in to PRECHARGE command
tRDL
222
tCK
LOAD MODE REGISTER command to ACTIVE or REFRESH
command
tMRD
222
tCK
Data-out to High-Z from PRECHARGE command
CL = 3
tROH(3)
333
tCK
CL = 2
tROH(2)
222
tCK
CL = 1
tROH(1)
1
tCK
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8 ITG | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray |
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