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参数资料
| 型号： | MT48V8M16LFB4-75M:G |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 80/80页 |
| 文件大小： | 2775K |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页当前第80页
PDF: 09005aef807f4885/Source: 09005aef8071a76b
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128Mbx16x32Mobile_2.fm - Rev. M 1/09 EN
9
2001 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x16, x32 Mobile SDRAM
General Description
Figure 3:
Functional Block Diagram 4 Meg x 32 SDRAM
12
RAS#
CAS#
CLK
CS#
WE#
CKE
8
A0–A11,
BA0, BA1
DQM0–
DQM3
14
256
(x32)
4096
I/O GATING
DQM MASK LOGIC
READ DATA LATCH
WRITE DRIVERS
COLUMN
DECODER
BANK0
MEMORY
ARRAY
(4,096 x 256 x 32)
BANK0
ROW-
ADDRESS
LATCH
&
DECODER
4,096
SENSE AMPLIFIERS
BANK
CONTROL
LOGIC
DQ0–
DQ31
32
DATA
INPUT
REGISTER
DATA
OUTPUT
REGISTER
32
BANK1
BANK0
BANK2
BANK3
12
8
2
4
2
REFRESH
COUNTER
12
MODE REGISTER
CONTROL
LOGIC
COMMAND
DECODE
ROW-
ADDRESS
MUX
ADDRESS
REGISTER
COLUMN-
ADDRESS
COUNTER/
LATCH
32
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MT48V8M16LFB4-8 ITG | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA Tray |
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