参数资料
型号: W631GG6KB-12
厂商: Winbond Electronics
文件页数: 11/159页
文件大小: 0K
描述: IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装: 200
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: DDR3 SDRAM
存储容量: 1G(64M x 16)
速度: 800MHz
接口: 并联
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
封装/外壳: 96-TFBGA
供应商设备封装: 96-WBGA(9x13)
包装: 托盘
W631GG6KB
7. BLOCK DIAGRAM
CK, CK#
CLOCK
BUFFER
CKE
CS#
CONTROL
SIGNAL
RAS#
CAS#
COMMAND
DECODER
GENERATOR
WE#
A10
COLUMN
DECODER
CELL ARRAY
BANK #0
COLUMN
DECODER
CELL ARRAY
BANK #1
COLUMN
DECODER
CELL ARRAY
BANK #4
COLUMN
DECODER
CELL ARRAY
BANK #5
A0
ADDRESS
MODE
REGISTER
SENSE
AMPLIFIER
SENSE
AMPLIFIER
A9
A11
A12
BUFFER
CK, CK#
BA2
BA1
BA0
DLL
DQL0 ? DQL7
ODT
DQL0 ? DQL7
PREFETCH REGISTER
DQ
READ
drivers
DQU0 ? DQU7
DQU0 ? DQU7
REFRESH
COUNTER
COLUMN
COUNTER
DATA CONTROL CIRCUIT
DM MASK LOGIC
BUFFER
WRITE
drivers
LDQS, LDQS#
LDQS, LDQS#
LDM, UDM
ODT
CONTROL
LDQS, LDQS#
UDQS, UDQS#
LDM, UDM
ZQCL, ZQCS
ZQ
ZQ CAL
COLUMN
DECODER
COLUMN
DECODER
COLUMN
DECODER
COLUMN
DECODER
RZQ
To ODT/output drivers
V SSQ
CELL ARRAY
BANK #2
SENSE
AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #3
SENSE
AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #6
SENSE
AMPLIFIER
CELL ARRAY
BANK #7
SENSE
AMPLIFIER
NOTE: The cell array configuration is 8192 * 1024 * 16
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 11 -
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