参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 111/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页当前第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页
W631GG6KB
Table 29 – Output Driver DC Electrical Characte ristics, assuming RZQ = 240 Ω ; entire
operating temperature range; after proper ZQ calibration
RON Nom
Resistor
V OUT
V OLDC = 0.2 × V DDQ
MIN.
0.6
NOM.
1.0
MAX.
1.1
UNIT
RZQ /7
NOTES
1, 2, 3
RON 34Pd
34 Ω
RON 34Pu
RON 40Pd
40 Ω
RON 40Pu
Mismatch between pull-up and pull-down,
MM PuPd
V OMDC = 0.5 × V DDQ
V OHDC = 0.8 × V DDQ
V OLDC = 0.2 × V DDQ
V OMDC = 0.5 × V DDQ
V OHDC = 0.8 × V DDQ
V OLDC = 0.2 × V DDQ
V OMDC = 0.5 × V DDQ
V OHDC = 0.8 × V DDQ
V OLDC = 0.2 × V DDQ
V OMDC = 0.5 × V DDQ
V OHDC = 0.8 × V DDQ
V OMDC = 0.5 × V DDQ
0.9
0.9
0.9
0.9
0.6
0.6
0.9
0.9
0.9
0.9
0.6
-10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.1
1.4
1.4
1.1
1.1
1.1
1.1
1.4
1.4
1.1
1.1
+10
RZQ /7
RZQ /7
RZQ /7
RZQ /7
RZQ /7
RZQ /6
RZQ /6
RZQ /6
RZQ /6
RZQ /6
RZQ /6
%
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 4
Notes:
1. The tolerance limits are specified after calibration with stable voltage and temperature. For the behavior of the tolerance
limits if temperature or voltage changes after calibration, see following section on voltage and temperature sensitivity.
2. The tolerance limits are specified under the condition that V DDQ = V DD and that V SSQ = V SS .
3. Pull-down and pull-up output driver impedances are recommended to be calibrated at 0.5 × V DDQ . Other calibration
schemes may be used to achieve the linearity spec shown above, e.g. calibration at 0.2 × V DDQ and 0.8 × V DDQ .
4. Measurement definition for mismatch between pull-up and pull-down, MM PuPd :
Measure RON Pu and RON Pd , both at 0.5 * V DDQ :
MM PuPd =
RON Pu - RON Pd
RON Nom
x 100%
- 111 -
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC20DRAS-S734 | CONN EDGECARD 40POS .100 R/A PCB |
| FMC12DREI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .100 EXTEND |
| EPF6024AQC240-2N | IC FLEX 6000 FPGA 24K 240-PQFP |
| EPF6024AQC240-2 | IC FLEX 6000 FPGA 24K 240-PQFP |
| EPF10K10QC208-3 | IC FLEX 10K FPGA 10K 208-PQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W631GG6KB-15 | 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W631GG8KB-11 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-12 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-15 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W632 | 制造商:LUMINIS 制造商全称:LUMINIS 功能描述:Wall mount |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。