参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 23/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页
W631GG6KB
8.3.3.1
Partial Array Self Refresh (PASR)
If PASR (Partial Array Self Refresh) is enabled, data located in areas of the array beyond the specified
address range shown in Figure 7 will be lost if Self Refresh is entered. Data integrity will be
maintained if t REFI conditions are met and no Self Refresh command is issued.
8.3.3.2
CAS Write Latency (CWL)
The CAS Write Latency is defined by MR2 (bits A3-A5), as shown in Figure 7. CAS Write Latency is
the delay, in clock cycles, between the internal Write command and the availability of the first bit of
input data.
DDR3 SDRAM does not support any half-clock latencies. The overall Write Latency (WL) is defined as
Additive Latency (AL) + CAS Write Latency (CWL); WL = AL + CWL. For more information on the
supported CWL and AL settings based on the operating clock frequency, refer to section 10.15
“ Speed Bins ” on page 134. For detailed Write operation refer to section 8.14 “ WRITE Operation ” on
page 56.
8.3.3.3
Auto Self Refresh (ASR) and Self Refresh Temperature (SRT)
DDR3 SDRAM must support Self Refresh operation at all supported temperatures. Applications
requiring Self Refresh operation in the Extended Temperature Range must use the ASR function or
program the SRT bit appropriately.
When ASR enabled, DDR3 SDRAM automatically provides Self Refresh power management functions
for all supported operating temperature values. If not enabled, the SRT bit must be programmed to
indicate T OPER during subsequent Self Refresh operation.
ASR = 0, Self Refresh rate is determined by SRT bit A7 in MR2.
ASR = 1, Self Refresh rate is determined by on-die thermal sensor. SRT bit A7 in MR2 is don't care.
8.3.3.4
Dynamic ODT (Rtt_WR)
DDR3 SDRAM introduces a new feature “ Dynamic ODT ” . In certain application cases and to further
enhance signal integrity on the data bus, it is desirable that the termination strength of the DDR3
SDRAM can be changed without issuing an MRS command. MR2 Register locations A9 and A10
configure the Dynamic ODT settings. In Write leveling mode, only Rtt_Nom is available. For details on
Dynamic ODT operation, refer to section 8.19.3 “ Dynamic ODT ” on page 83.
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 23 -
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC20DRAS-S734 | CONN EDGECARD 40POS .100 R/A PCB |
| FMC12DREI-S13 | CONN EDGECARD 24POS .100 EXTEND |
| EPF6024AQC240-2N | IC FLEX 6000 FPGA 24K 240-PQFP |
| EPF6024AQC240-2 | IC FLEX 6000 FPGA 24K 240-PQFP |
| EPF10K10QC208-3 | IC FLEX 10K FPGA 10K 208-PQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W631GG6KB-15 | 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W631GG8KB-11 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-12 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-15 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W632 | 制造商:LUMINIS 制造商全称:LUMINIS 功能描述:Wall mount |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。