参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 116/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
10.10 ODT Timing Definitions
10.10.1 Test Load for ODT Timings
Different than for timing measurements, the reference load for ODT timings is defined in Figure 98.
VDDQ
CK, CK#
DUT
DQ, DM
DQS, DQS#
VTT = VSSQ
RTT = 25 Ω
VSSQ
Timing reference point
Figure 98 – ODT Timing Reference Load
10.10.2 ODT Timing Definitions
Definitions for t AON , t AONPD , t AOF , t AOFPD and t ADC are provided in Table 36 and subsequent figures.
Measurement reference settings are provided in Table 37.
Table 36 – ODT Timing Definitions
Symbol
t AON
t AONPD
t AOF
t AOFPD
t ADC
Begin Point Definition
Rising edge of CK - CK# defined by the end
point of ODTLon
Rising edge of CK - CK# with ODT being first
registered high
Rising edge of CK - CK#defined by the end
point of ODTLoff
Rising edge of CK - CK# with ODT being first
registered low
Rising edge of CK - CK# defined by the end
point of ODTLcnw, ODTLcwn4 or ODTLcwn8
End Point Definition
Extrapolated point at V SSQ
Extrapolated point at V SSQ
End point: Extrapolated point at VRtt_Nom
End point: Extrapolated point at VRtt_Nom
End point: Extrapolated point at VRtt_WR and
VRtt_Nom respectively
Figure
Figure 99
Figure 100
Figure 101
Figure 102
Figure 103
Table 37 – Reference Settings for ODT Timing Measurements
Measured Parameter
t AON
t AONPD
t AOF
t AOFPD
t ADC
Rtt_Nom Setting
R ZQ /4
R ZQ /12
R ZQ /4
R ZQ /12
R ZQ /4
R ZQ /12
R ZQ /4
R ZQ /12
R ZQ /12
Rtt_WR Setting
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
NA
RZQ/2
V SW1 [V]
0.05
0.10
0.05
0.10
0.05
0.10
0.05
0.10
0.20
V SW2 [V]
0.10
0.20
0.10
0.20
0.10
0.20
0.10
0.20
0.30
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 116 -
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