参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 33/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
8.9.3
Write Leveling Mode Exit
The following sequence describes how the Write Leveling Mode should be exited:
1. After the last rising strobe edge (see ~T0), stop driving the strobe signals (see ~Tc0). Note: From
now on, DQ pins are in undefined driving mode, and will remain undefined, until t MOD after the
respective MR command (Te1).
2. Drive ODT pin low (t IS must be satisfied) and continue registering low. (see Tb0).
3. After the R TT is switched off, disable Write Level Mode via MRS command (see Tc2).
4. After t MOD is satisfied (Te1), any valid command may be registered. (MR commands may be
issued after t MRD (Td1).
T0
T1
T2
Ta0
Tb0
Tc0
Tc1
Tc2
Td0
Td1
Te0
Te1
CK#
CK
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
MRS
NOP
VALID
NOP
VALID
t MRD
Address
t IS
MR1
VALID
t MOD
VALID
ODT
ODTLoff
t AOF min
R TT _DQS_DQS#
Rtt_Nom
t AOF max
DQS_DQS#
R TT _DQ
DQ *1
t WLO + t WLOE
result = 1
UNDEFINED DRIVING MODE
TRANSITIONING
TIME BREAK
DON'T CARE
Note:
1. The DQ result = 1 between Ta0 and Tc0 is a result of the DQS, DQS# signals capturing CK high just after the T0 state.
Figure 15 – Timing details of Write leveling exit
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 33 -
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| W631GG8KB-12 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
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