参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 120/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
10.11 Input/Output Capacitance
PARAMETER
SYMBOL
DDR3-1333
MIN. MAX.
DDR3-1600
MIN. MAX.
DDR3-1866
MIN. MAX.
UNIT
NOTES
Input/output capacitance
(DQ, DM, DQS, DQS#)
Input capacitance
(CK and CK#)
Delta of input capacitance
(CK and CK#)
Delta of Input/Output capacitance
(DQS and DQS#)
Input capacitance
(CTRL, ADD, CMD input-only pins)
Delta of input capacitance
(All CTRL input-only pins)
Delta of input capacitance
(All ADD/CMD input-only pins)
Delta of Input/output capacitance
(DQ, DM, DQS, DQS#)
Input/output capacitance of ZQ signal
C IO
C CK
C DCK
C DDQS
C I
C DI_CTRL
C DI_ADD_CMD
C DIO
C ZQ
1.4
0.8
0
0
0.75
-0.4
-0.4
-0.5
?
2.5
1.4
0.15
0.15
1.3
0.2
0.4
0.3
3
1.4
0.8
0
0
0.75
-0.4
-0.4
-0.5
?
2.3
1.4
0.15
0.15
1.3
0.2
0.4
0.3
3
1.4
0.8
0
0
0.75
-0.4
-0.4
-0.5
?
2.2
1.3
0.15
0.15
1.2
0.2
0.4
0.3
3
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
1, 2, 3
2, 3
2, 3, 4
2, 3, 5
2, 3, 6
2, 3, 7, 8
2, 3, 9, 10
2, 3, 11
2, 3, 12
Notes:
1. Although the DM signals have different functions, the loading matches DQ and DQS.
2. This parameter is not subject to production test. It is verified by design and characterization. The capacitance is measured
according to JEP147 (Procedure for measuring input capacitance using a vector network analyzer (VNA) with V DD , V DDQ ,
V SS , V SSQ applied and all other pins floating (except the ball under test, CKE, RESET# and ODT as necessary).
V DD =V DDQ =1.5V, V BIAS =V DD /2 and on-die termination off.
3. This parameter applies to monolithic devices only; stacked/dual-die devices are not covered here.
4. Absolute value of C CK -C CK #.
5. Absolute value of C IO (DQS)-C IO (DQS#).
6. C I applies to ODT, CS#, CKE, A0-A12, BA0-BA2, RAS#, CAS#, WE#.
7. C DI_CTRL applies to ODT, CS# and CKE.
8. C DI_CTRL =C I (CTRL)-0.5*(C I (CLK)+C I (CLK#)).
9. C DI_ADD_CMD applies to A0-A12, BA0-BA2, RAS#, CAS# and WE#.
10. C DI_ADD_CMD =C I (ADD_CMD) - 0.5*(C I (CLK)+C I (CLK#)).
11. C DIO =C IO(DQ,DM) - 0.5*(C IO(DQS) +C IO(DQS#) ).
12. Maximum external load capacitance on ZQ signal: 5 pF.
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 120 -
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