参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 127/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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Data
W631GG6KB
Table 41 – I DD1 Measurement-Loop Pattern 1
2
0
1, 2
3, 4
ACT
D, D
D#, D#
0
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
-
-
-
...
Repeat pattern 1...4 until nRCD - 1, truncate if necessary
nRCD
RD
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
00000000
...
Repeat pattern 1...4 until nRAS - 1, truncate if necessary
nRAS
PRE
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
-
0
...
1*nRC+0
Repeat pattern 1...4 until nRC - 1, truncate if necessary
ACT 0 0 1 1 0 0 0 0
0
F
0
-
1*nRC+1, 2
1*nRC+3, 4
D, D
D#, D#
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
F
F
0
0
-
-
...
Repeat pattern nRC + 1,...,4 until nRC + nRCD - 1, truncate if necessary
1*nRC+nRCD
RD
0
1
0
1
0
0
0
0
0
F
0
00110011
...
Repeat pattern nRC + 1,...,4 until nRC + nRAS - 1, truncate if necessary
1*nRC+nRAS
PRE
0
0
1
0
0
0
0
0
0
F
0
-
...
Repeat pattern nRC + 1,...,4 until 2*nRC - 1, truncate if necessary
1
2
3
4
5
6
7
2*nRC
4*nRC
6*nRC
8*nRC
10*nRC
12*nRC
14*nRC
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 1 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 2 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 3 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 4 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 5 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 6 instead
Repeat Sub-Loop 0, use BA[2:0] = 7 instead
Notes:
1. DM must be driven LOW all the time. DQS, DQS# are used according to RD Commands, otherwise MID-LEVEL.
2. Burst Sequence driven on each DQ signal by Read Command. Outside burst operation, DQ signals are MID-LEVEL.
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 127 -
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