参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 137/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
10.15.4 Speed Bin General Notes
The absolute specification for all speed bins is T OPER and V DD = V DDQ = 1.5V ± 0.075V. In addition
the following general notes apply.
1. Max. limits are exclusive. E.g. if t CK(AVG).MAX value is 2.5 nS, t CK(AVG) needs to be < 2.5 nS.
2. The CL setting and CWL setting result in t CK(AVG).MIN and t CK(AVG).MAX requirements. When making
a selection of t CK(AVG) , both need to be fulfilled: Requirements from CL setting as well as
requirements from CWL setting.
3. t CK(AVG).MIN limits: Since CAS Latency is not purely analog - data and strobe output are
synchronized by the DLL - all possible intermediate frequencies may not be guaranteed. An
application should use the next smaller standard t CK(AVG) value (2.5, 1.875, 1.5, 1.25 nS or 1.07 nS)
when calculating CL [nCK] = t AA [nS] / t CK(AVG) [nS ], rounding up to the next ?Supported CL‘ .
4. t CK(AVG).MAX limits: Calculate t CK(AVG) = t AA.MAX / CL SELECTED and round the resulting t CK(AVG)
down to the next valid speed bin (i.e. 3.3nS or 2.5nS or 1.875 nS or 1.25 nS or 1.07 nS). This result
is t CK(AVG).MAX corresponding to CL SELECTED.
5. ?Reserved‘ settings are not allowed. User must program a different value.
6. Any DDR3-1333 speed bin also supports functional operation at lower frequencies as shown in the
table which are not subject to Production Tests but verified by Design/Characterization.
7. Any DDR3-1600 speed bin also supports functional operation at lower frequencies as shown in the
table which are not subject to Production Tests but verified by Design/Characterization.
8. Any DDR3-1866 speed bin also supports functional operation at lower frequencies as shown in the
table which are not subject to Production Tests but verified by Design/Characterization.
9. For devices supporting optional down binning to CL=7 and CL=9, t AA /t RCD /t RP min must be 13.125
nS or lower. SPD settings must be programmed to match. For example, DDR3-1333 (9-9-9) devices
supporting down binning to DDR3-1066 (7-7-7) should program 13.125 nS in SPD bytes for t AA min
(Byte 16), t RCD min (Byte 18), and t RP min (Byte 20). DDR3-1600 (11-11-11) devices supporting
down binning to DDR3-1333 (9-9-9) or DDR3-1066 (7-7-7) should program 13.125 nS in SPD bytes
for t AA min (Byte16), t RCD min (Byte 18), and t RP min (Byte 20). Once t RP (Byte 20) is programmed to
13.125 nS, t RC min (Byte 21, 23) also should be programmed accodingly. For example, 49.125nS
(t RAS min + t RP min = 36 nS + 13.125 nS) for DDR3-1333 (9-9-9) and 48.125 nS (t RAS min + t RP min =
35 nS + 13.125 nS) for DDR3-1600 (11-11-11).
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 137 -
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