参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 61/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
Ta0
Ta1
T14
CK#
CK
Command *3
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
PRE
NOP
NOP
4 clocks
t WR *5
Address *4
DQS, DQS#
Bank
Col n
t WPRE
t WPST
VALID
DQ *2
WL = 5
Din
n
Din
n+1
Din
n+2
Din
n+3
NOTES:
1. BC4 on the fly, WL = 5 (CWL = 5, AL = 0)
2. Din n (or b) = data-in from column n.
3. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
4. BC4 on the fly setting activated by MR0 A[1:0] = 01 and A12 = 0 during WRITE command at T0.
TIME BREAK
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
5. The write recovery time (tWR) starts at the rising clock edge T9 (4 clocks from T5).
Figure 47 – WRITE (BC4) OTF to PRECHARGE Operation
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
CK#
CK
Command *3
WRITE
NOP
NOP
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t CCD
4 clocks
t WR
t WTR
Address *4
DQS, DQS#
Bank
Col n
Bank
Col b
t WPRE
t WPST
DQ *2
WL = 5
Din
n
Din
n+1
Din
n+2
Din
n+3
Din
n+4
Din
n+5
Din
n+6
Din
n+7
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
Din
b+4
Din
b+5
Din
b+6
Din
b+7
WL = 5
NOTES: 1. BL8, WL = 5 (CWL = 5, AL = 0)
2. Din n (or b) = data-in from column n (or column b).
3. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
4. BL8 setting activated by either MR0 A[1:0] = 00 or MR0 A[1:0] = 01 and A12 = 1 during WRITE command at T0 and T4.
5. The write recovery time (tWR) and write timing parameter (tWTR) are referenced from the first rising clock edge after the last write data shown at T13.
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
Figure 48 – WRITE (BL8) to WRITE (BL8)
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 61 -
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